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| 规格书 |
 ECH8503 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | 2 PNP (Dual) |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 5A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 190mV @ 125mA, 2.5A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 200 @ 500mA, 2V |
| 功率 - 最大 | 1.6W |
| 频率转换 | 280MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SMD, Flat Lead |
| 供应商器件封装 | 8-ECH |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 5A |
| 晶体管类型 | 2 PNP (Dual) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 280MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 190mV @ 125mA, 2.5A |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | 8-ECH |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 1.6W |
| 封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 200 @ 500mA, 2V |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | - 6 V |
| 最大功率耗散 | 1.3 W |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 200 mA |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | - 5 A |
| 系列 | ECH8503 |
| Pd - Power Dissipation | 1.3 W |
| 品牌 | ON Semiconductor |
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